供应 磁屏蔽材料

磁屏蔽材料 

基本原理

当磁场的频率很低（工频或100KHz以下）时，传统的屏蔽方法几乎没有作用。低频磁场一般由马达、发电机、变压器等设备产生。这些磁场会对利用磁场工作的设备产生影响，如阴射线管中的电子束是在磁场的控制下进行扫描的，当有外界磁场干扰时，电子束的偏转会发生变化，使图像失真。

低频磁场的屏蔽是使用铁磁性材料将敏感器件包起来。屏蔽的作用是为磁场提供一条低磁阻的通路，使敏感器件周围的磁力线集中在屏蔽材料中，从而起到屏蔽的作用。

设计中的一个关键是选择一种材料既能提供足够的屏蔽效能，又不至于发生饱和。当要屏蔽的磁场很强时，一层屏蔽可能满足不了要求，这时可以采用多层屏蔽。多层屏蔽的原理是先用导磁率较低，不易饱和的材料将磁场衰减到一定的程度，然后再用磁导率很高(通常容易发生饱和)的材料进行进一步衰减。因此低导磁率的材料应靠近干扰源。

完全的封闭体能够提供理想的磁屏蔽效果。但在实践中，不封闭的结构，如五面体或少面的结构，甚至平板也能提供满足要求的屏蔽效能。当使用平板时，应使平板体的长度和宽度大于干扰源到敏感源之间的距离。由于材料的磁阻与屏蔽结构的尺寸有关，因此除了选用合适的材料以外，尽量缩短磁路的长度、增加截面积也能增加磁屏蔽效能。

磁屏蔽材料特性

   CO—NETIC和NETIC材料是两种特殊的磁屏蔽材料。CO-NETIC材料具有高的导磁率，可以有效衰减低频磁场干扰，达到高磁场屏蔽，NETIC材料有好的抗磁饱和能力，能在强磁场产生一定衰减。 

 

物理与磁特性

技术参数
 CO-NETIC AA
 CO-NETIC AA
 CO-NETIC B
 NETIC S3-6
 
完全退火
 压力退火
 压力退火
 压力退火
 
密度
 8.74
 8.74
 8.18
 7.86
 
膨胀系数,per ℃ x 10－6
 12.6
 12.6
 8.3
 13.7
 
拉伸强度,PSI x 103
 64
 85
 80
 42
 
屈服应力,PSI x 103
 18.5
 33
 27
 27
 
弹性模量,PSI x 106
 25
 30
 24
 30
 
硬度,Rockwell B
 50 Ref.
 70 Ref.
 68 Ref.
 50 Ref.
 
2英寸伸长率（百分比）
 27%
 32%
 32%
 38%
 
熔点
 2650oF1454℃
 2650oF1454℃
 2600oF1427℃
 2790oF1532℃
 
导热性(cal/sec/cm2

/cm/℃) at 20℃
 .138
 .138
 .037
 .118
 
电阻 ohms/cir mil-foot
 330
 330
 290
 64
 
微欧姆-厘米
 55
 55
 48
 11
 
饱和感应(高斯)
 8,000
 8,000*
 15.000*
 21,400
 
起始磁导率
 30.000
 30,000*
 8,000*
 200
 
磁导率 at 40 B
 75,000
 75,000*
 12,000*
 300
 
磁导率 at 200 B
 135,000
 135,000*
 30.000*
 500
 
大磁导率
 450,000
 45,000*
 150,000*
 4.000
 
磁感应 at μ max
 3.000
 3,000*
 7,000*
 8.000
 
抗磁力 Hc,奥斯特
 .015
 .015*
 .05
 1.0
 
居里温度
 850oF 454℃
 850oF 454℃
 840oF 449℃
 1420oF 770℃
 
低工作温度
 4oK
 4oK
 4oK
 4oK
 


 

 

 

a,Stress Annealed(压力退火处理)的材料在加工完毕后，为了获得佳的屏蔽效能，要再进行退火处理。

b,Perfection Annealed(完全退火处理)的材料只要在加工过程中没有激烈的成型和拉伸，加工完毕后不需要再退火。

c,尺寸：压力退火处理的材料：1524mm，762mm，381mm。

完全退火处理的材料：737mm，356mm。

 
 
 


 

说明：

a,所有箔材料是完全退火处理的。

b,每卷的长度有三种：25英尺，50英尺，100英尺。

c,可以带背胶，胶的温度范围是一18℃～93℃。






  使用事项

 

a.材料的选用

   CO—NETIC AA材料主要用于低场强的场合。NETICS3—6材料由于具高磁饱和强度特性，主要用于强磁场的场合。当联合使用构成多层屏蔽时，NETIC材料靠近干扰源，CO—NETIC材料靠近被保护的器件。

 

b.焊接方法

亚弧焊是理想的焊接方法，因为亚弧焊过程中不使用填充料，可以保持导磁的连续性。当使用填充料时，应使用母料的材料。在许多场合，使用点焊可以降低成本，并提供较好的效果。为了保持较好的磁通路，点焊的密度应尽量大。

 

 

c.C0一NETIC材料的退火处理

 为了获得佳的磁屏蔽效果，加工完成后应进行退火处理。退火的温度和冷却速率必须严格控制才能获得佳的磁屏蔽效能。炉内的气体是一个关键的因素。理想的气体是纯、干躁氢气。退火的佳温度是112l℃，保持4个小时。然后以每小时222℃的速率冷却，直到600℃。600℃以后，冷却速率可以加快。达到315℃时，就可以将材料暴露在普通大气中。当材料较薄时，为了防止变形，可以使用1065℃的温度。

 

IC材料的退火

NETIC材料的佳退火温度是843℃，时间和温度的控制要求低于CO—NETIC材料。

 

e.CO—NETIC材料的涂覆处理

CO—NETIC材料由于含镍量很高，具有很好的抗腐蚀特性。在氢气中退火后，呈现光亮的表面，因此一般不需要涂覆处理。必须进行涂覆处理时，可以按普通的程序进行。

 

IC材料的喷漆处理

 为了保护材料的表面不被氧化，可以使用以下的处理步骤：

 (1)清除表面的油污

 (2)对表面进行磷化处理

 (3)锌磷酸盐处理

 (4)使用适当的漆喷涂